由全球能源互联网研究院有限公司牵头的国家重点研发计划项目“碳化硅大功率电力电子器件及应用基础理论研究”项目综合绩效评价会议于2021年12月7日在北京京都信苑饭店举行。由于疫情，会议采取线上线下结合的方式，工信部产业发展促进中心、国家电网公司的有关领导，以及项目绩效评价专家、项目负责人和项目承担单位人员等出席了本次会议。

会上项目负责人邱宇峰汇报了项目的主要成果、创新性、经费管理和组织管理情况。“碳化硅大功率电力电子器件及应用基础理论研究”项目设置5个课题，从SiC材料、SiC IGBT芯片、SiC IGBT封装、SiC IGBT可靠性和SiC IGBT应用验证五个方面攻克高压大功率SiC IGBT应用基础理论。

经专家评议，本项目的实施，取得成果包括18kV SiC IGBT用全结构多层外延材料、国内首枚18kV/12.5A SiC IGBT芯片、国际上功率最大的18kV/125A压接型SiC IGBT器件、国际上首次完成18kV SiC IGBT器件在24kV母线电压的串联应用验证。绩效评价专家组对项目成果给予了高度肯定，并提出了殷切期望，最终项目综合绩效评价得分91.8。

华中科技大学是该项目课题五的牵头单位。参与单位包括了武汉大学、中电普瑞电力工程有限公司、全球能源互联网研究院有限公司和福建国家电网有限公司。电气学院林桦教授为课题负责人，梁琳研究员为课题执行负责人。在本课题中，建立了适用于SiC IGBT器件的高速高精度行为模型，研究了基于换流阀半桥模块的电磁热力综合作用机理，提出了高压器件串联均压方案并完成了24kV串联应用验证。课题五已于2021年9月24日顺利通过课题绩效评价，获91.14高分。经专家现场见证，四只18kV SiC IGBT器件两两串联组成换流阀半桥模块，在24kV母线电压下静态电压不均衡程度为0.4%，动态电压不均衡程度为15%（电流132A）。

本项目的成功实施，将引领高压大功率SiC器件基础理论研究和技术创新，加速高压大功率SiC器件走向电网应用的进程，为我国能源革命和智能电网建设提供坚强支撑。